🟡 メモリ系
CL(CAS レイテンシ)
メモリの応答遅延を示す指標、小さいほど高速
別名・略称: CAS Latency CL値 tCL
🧾 概要
メモリの応答遅延を示す指標、小さいほど高速
何ができるか
- メモリが要求からデータ返却までに要するクロック数を表す
- 同じ動作クロックなら CL が小さい方が遅延が短い
- ゲームや低レイテンシ重視の用途で体感に影響
- メモリ選定時に「速度+CL」の両方で性能を見る
特徴
- 単位はクロック数(無次元)
- 例:CL30 はコマンド発行から30クロック後にデータ出力
- 実時間の遅延 = CL ÷ 実クロック × 2(ns換算)
- 一般に高クロック品ほど CL は大きくなる傾向
図解
DDR5-6000 CL30 の場合
コマンド発行 ──▶ ... 30クロック待機 ... ──▶ データ出力
実時間 = 30 / 3000MHz = 10ns
仕組み
- DRAMの行/列を選択しデータが出力されるまでの内部待ち時間
- メモリICの製造プロセスと選別グレードで決まる
- BIOS の Primary Timing で設定される
構成要素 / 種別
- tCL — Column Address Strobe Latency
- tRCD — Row Address to Column Address Delay
- tRP — Row Precharge Time
- tRAS — Row Active Time
■ ユースケース
- 実務:DDR5-6000 CL30 が Ryzen 7000/9000 のスイートスポット
- 比較・選定:/posts/memory-selection-guide/
■ 関連用語
■ 関連サイト・詳細な文書
- Crucial レイテンシ解説 — メーカー公式
- JEDEC — タイミング規格策定